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合理的配方和工藝是控制材料的化學成分和微觀結(jié)構(gòu)，獲取優(yōu)良的宏觀物理性能的關(guān)鍵。而ZnO壓敏陶瓷實驗配方的設計是晶粒能否低壓化的關(guān)鍵技術(shù)之一，各種元素的添加和量的控制直接影響材料的顯微結(jié)構(gòu)和晶界特性，進而決定壓敏性能。ZnO本身的電性質(zhì)對本征缺陷,尤其是對氧空位和鋅填隙比較敏感,摻雜在壓敏特性的形成過程中，影響燒結(jié)時晶粒的生長、液相在冷卻時的去潤濕作用以及陶瓷的電子缺陷態(tài)。到目前為止，人們對低壓化及摻雜改性方面己經(jīng)作了很多研究工作，得到了許多有價值的結(jié)果，如Co、Mn

、Sb等可改善非線性指數(shù)，Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒絕緣和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界，Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善穩(wěn)定性，而A1、Ga、F、Cr等可改善大電流非線性指數(shù)(形成ZnO晶粒中的施主)，Sb及Si可抑制晶粒生長，Be、Ti、Sn則可促進晶粒生長。

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壓敏電阻連續(xù)工作電壓壽命，即壓敏電阻在規(guī)定環(huán)境和系統(tǒng)電壓條件下應能可靠地工作規(guī)定的時間（h）。由于壓敏電阻總是承受著穩(wěn)態(tài)工作電壓應力的作用，壓敏電阻的壽命是與漏電流密切相關(guān)的。在不發(fā)生機械或其他電氣性能失效的情況下，壓敏電阻的壽命主要由漏電流IR（密度JR）及其溫度、電壓和時間的上升情況所決定。隨著漏電流IR（密度JR）升高，發(fā)熱量增大，若這個能量不能散失，元件的溫度會很快上升，這種元件在維持一段初始穩(wěn)定狀態(tài)后，終將達到熱失控（擊穿）的溫度而結(jié)束其使用壽命。

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