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上升區(qū)：當(dāng)過(guò)電壓很大，使得通過(guò)壓敏電阻器的電流大于約100A/cm2時(shí)，壓敏電阻器的伏安特性主要由晶粒電阻的伏安特性來(lái)決定。此時(shí)壓敏電阻器的伏安特性呈線性電導(dǎo)特性，即：I=V/Rg 上升區(qū)電流與電壓幾乎呈線性關(guān)系，壓敏電阻器在該區(qū)域已經(jīng)劣化，

失去了其抑制過(guò)電壓、吸收或釋放浪涌的能量等特性。根據(jù)壓敏電阻器的導(dǎo)電機(jī)理，其對(duì)過(guò)電壓的響應(yīng)速度很快，如帶引線式和專用電極產(chǎn)品，一般響應(yīng)時(shí)間小于25納秒。因此只要選擇和使用得當(dāng)，壓敏電阻器對(duì)線路中出現(xiàn)的瞬態(tài)過(guò)電壓有優(yōu)良的抑制作用，從而達(dá)到保護(hù)電路中其它元件免遭過(guò)電壓破壞的目的。

源林電子的壓敏電阻器廣受贊譽(yù)，可靠性高、性價(jià)比高，具有很強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，想了解更多溫度傳感器資料，歡迎來(lái)電咨詢！

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為了觀察燒結(jié)成品晶粒生長(zhǎng)情況，氣孔率，致密性等，分析元素的摻雜等對(duì)成品性能的影響，對(duì)制得的ZnO陶瓷成品斷口進(jìn)行觀測(cè)。樣品1與樣品2相比較小且大小不等、雜亂無(wú)章，即存在8um左右的大晶粒也存在很多1um以下的小晶粒，其中以小尺寸晶粒居多；(2)晶粒形貌呈現(xiàn)多樣性生長(zhǎng)趨勢(shì)。(3)ZnO主晶相之間存在較多存在孔洞、縫隙。由2中可以看出：(1)ZnO平均晶粒尺寸為10

～15um，且小尺寸晶粒數(shù)量大量減少，尺寸生長(zhǎng)比較均勻；(2)晶粒形貌大多呈現(xiàn)正多邊形或圓形生長(zhǎng)趨勢(shì)、晶粒生長(zhǎng)堆積緊密；總之，摻雜TiO2的樣品與未摻雜TiO2的樣品相比從顯微結(jié)構(gòu)上看晶粒形貌規(guī)整，結(jié)構(gòu)均勻、致密，晶粒較大。樣品3.ZnO主晶相之問(wèn)存在較多存在孔洞、縫隙；圖晶界出現(xiàn)了大量液相熔融，且晶界較寬，而且晶粒邊緣有尖晶石相存在使晶粒長(zhǎng)大受限；相比較樣品2.晶粒尺寸又變的不均勻，出現(xiàn)極大和極小顆粒。總之，隨著TiO2的加入ZnO壓敏陶瓷的平均晶粒尺寸增大，但加入量過(guò)多時(shí)，ZnO壓敏陶瓷的電性能開(kāi)始惡化。TiO2的摻雜會(huì)使氧化鋅壓敏陶瓷的平均晶粒明顯增大，但摻雜量過(guò)多時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量Zn2Ti04尖晶石相阻礙晶粒進(jìn)一步長(zhǎng)大。

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