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壓敏電阻器|源林電子(在線咨詢)|東莞壓敏電阻器

東莞市源林電子科技有限公司
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    ZnO晶相位于晶粒體內,為低電阻率的半導體,對大電流特性有決定性作用。ZnO半導化的原因主要是氧不足導致的非化學計量比和施主摻雜,有大量的導電電子存在,為n型半導體。富鉍相,約在750℃形成12/14 Bi2O3

    ·Cr2O3 ,溫度低于850℃參與形成焦綠石相,超過850℃后從焦綠石相中分離出來,生成含

    Cr的富鉍相,含有尖晶石相和Zn,隨著溫度的升高,Cr逐步移到尖晶石相中。

    Cr有穩定尖晶石相的作用,高溫冷卻時,可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時形成,850℃時達到峰值,約950℃時消失,

    反應式如下

    2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3


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    ZnO壓敏電阻器的限壓原理:

    VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV),其中VS為浪涌電壓,Zsourc為浪涌電壓源的阻抗,如傳輸線的電阻或線圈的電感等,ZSIOV

    ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估,因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分,其阻抗比低頻時大得多。

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    壓敏電壓和電阻器厚度的關系:

    對ZnO壓敏電阻器,加在每晶界上的電壓約為3.5V,所以當晶粒大小一定時,壓敏電阻器越厚,壓敏電壓越高,關系如下:

    U=UgbNgt , E0.5=U/t

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