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ZnO壓敏電阻器的結構：

晶粒體為電阻率很低的半導體，晶界為絕緣體，類似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結構松弛，雜質占據這些位置比占據體內晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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電壓溫度系數TC

電壓溫度系數指在規定的溫度范圍（溫度范圍為20℃～70℃）內，壓敏電阻器標稱電壓的變化率，即在通過壓敏電阻器的電流保持恒定時，溫度改變1°C時，壓敏電阻器兩端電壓的相對變化。嚴格說，電壓溫度系數不是一個常數，在不同溫度下，T值是不同的，不過通常不需要給出TC與溫度的關系曲線。

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壓敏電阻直流作用下的老化機理

直流作用下。反偏壓側的Zni向晶界遷移，中和了部分VZn，使表面受主態密度下降，勢壘降低，阻性電流增大。直流電壓作用下的老化不對稱，是因為測試電壓極性如與老化時加的電壓一致，電壓主要加在正極性側的耗盡層上，而這一側可遷移的填隙鋅離子已不多；如極性相反，則電壓主要加在另一側的耗盡層上，而這側有大量的填隙鋅離子，所以阻性電流大。

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