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ZnO壓敏電阻器的結構：

晶粒體為電阻率很低的半導體，晶界為絕緣體，類似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結構松弛，雜質占據(jù)這些位置比占據(jù)體內晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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氧化鋅壓敏電阻因具有良好的非線性特性而成為低壓電源系統(tǒng)和信息系統(tǒng)中電涌防護的主要設施。其可靠性主要取決于壓敏電阻耐受電涌沖擊的能力。一個性能良好的氧化鋅壓敏電阻在經受電涌沖擊以后,其電氣特性應返回到初始狀態(tài)。然而在運行過程中,由于經受諸如電應力、機械應力等各種應力的作用,壓敏電阻會出現(xiàn)性能劣化和老化現(xiàn)象,這就降低了壓敏電阻電涌防護的能力。研究人員采用了多種測量及診斷裝置來研究壓敏電阻的老化機理及檢測金屬氧化物壓敏電阻內部的狀態(tài)[1～2]。一般經常采用的方法是測量直流1mA下壓敏電阻兩端的電壓或者測量壓敏電阻在一定幅值8/20電流沖擊下的殘壓來對壓敏電阻的電氣性能進行分析判斷。但是這些測試方法只能反映壓敏電阻的整體性能,不能反映壓敏電阻的老化及劣化的程度,所以無法為判斷壓敏電阻的性能狀態(tài)提供可靠的判據(jù)。

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老化的表現(xiàn)：

老化是指在各種外加應力及外界因素作用下，其性能及電氣物理參數(shù)發(fā)生改變，逐步偏離其起始性能指標。ZnO壓敏電阻器老化后的I-V特性，老化主要集中在預擊穿區(qū)，而擊穿區(qū)的老化較小，表現(xiàn)為I-V特性曲線在低電場區(qū)向右偏移，阻性電流加大，功率損耗增大，壓敏電壓下降。直流電壓作用后的老化，I-V特性不對稱；交流電壓作用下的老化。另老化后電容量減小，介電損耗增大。

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